IQD020N10NM5SCATMA1
- 型號描述:
-
N-Channel 100 V 26A (Ta), 276A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-WHSON-8-U02
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
- 型號:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 26A (Ta), 276A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.05mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.8V @ 159µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 134 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 9500 pF @ 50 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 3W (Ta), 333W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-WHSON-8-U02
- Package / Case
- 8-PowerWDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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- M24308/3-2F
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