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IPW60R125P6XKSA1

型號描述:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
型號:
IPW60R125P6XKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$185.752
30+NT$103.932
120+NT$85.909
510+NT$72.691
1020+NT$67.868
2010+NT$63.895
5010+NT$63.786
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$185.752 數量:

合計: NT$186

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 960µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2660 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
219W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Package / Case
TO-247-3
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