IPW60R037CSFDXKSA1
- 型號描述:
- MOSFET HIGH POWER_NEW
- 型號:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 240
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$308.1897 |
| 10+ | NT$181.6416 |
| 100+ | NT$153.9279 |
| 480+ | NT$143.577 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$308.1897
數量:
合計: NT$308
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 54A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 37mOhm @ 32.6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 1.63mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 136 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 5623 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 245W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-3
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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