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IPW60R099CPFKSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
型號:
IPW60R099CPFKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$269.186
30+NT$156.35
120+NT$131.586
510+NT$119.245
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$269.186 數量:

合計: NT$269

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
255W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Package / Case
TO-247-3
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