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IPT65R018CM8XTMA1

型號描述:
N-Channel 650 V 134A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
IPT65R018CM8XTMA1
型號:
IPT65R018CM8XTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$555.818
10+NT$389.569
50+NT$323.005
500+NT$304.724
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$555.818 數量:

合計: NT$556

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
134A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 55.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.7V @ 1.48mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8290 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
694W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HSOF-8
Package / Case
8-PowerSFN
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