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IPT022N10NF2SATMA1

型號描述:
N-Channel 100 V 29A (Ta), 236A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-10
MOSFET IFX FET >80 - 100V
型號:
IPT022N10NF2SATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1800
1+NT$167.56
10+NT$86.437
100+NT$78.289
500+NT$67.662
1000+NT$62.702
1800+NT$62.702
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$167.56 數量:

合計: NT$168

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Ta), 236A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.25mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 169µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-10
Package / Case
8-PowerSFN
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