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IPT022N10NF2SATMA1

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IPT022N10NF2SATMA1

型號描述:: MOSFET

型號:: IPT022N10NF2SATMA1

品牌:: Infineon Technologies

交期:: 5-8工作天

原廠包裝量:: 1800

Datasheet

幣別 (RMB)稅前單價/PCS
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1+	¥45.78
10+	¥38.472
25+	¥36.288
100+	¥31.08
250+	¥29.4
500+	¥27.636
1000+	¥23.688
1800+	¥22.176
3600+	¥21.336

起訂量：1倍增量：1

價格:¥45.78數量:

合計:¥45.78

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: 8-PowerSFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA

Supplier Device Package: PG-HSOF-8

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

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