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IPT012N08NF2SATMA1

型號描述:
MOSFET IFX FET > 60-80V
型號:
IPT012N08NF2SATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1800
1+NT$209.716
10+NT$140.283
100+NT$100.607
500+NT$91.042
1000+NT$86.083
1800+NT$86.083
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$209.716 數量:

合計: NT$210

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
39A (Ta), 351A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.23mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 267µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-10
Package / Case
8-PowerSFN
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