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IPP023NE7N3GXKSA1

型號描述:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
型號:
IPP023NE7N3GXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1
1+NT$134.5932
50+NT$68.6769
100+NT$62.2803
500+NT$51.0685
1000+NT$47.4681
2000+NT$47.2278
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$134.5932 數量:

合計: NT$135

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
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