IPP026N10NF2SAKMA1
- 型號描述:
- MOSFET TRENCH >=100V
- 型號:
- IPP026N10NF2SAKMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 1000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$88.4835 |
| 10+ | NT$59.1003 |
| 500+ | NT$56.4291 |
| 1000+ | NT$56.0952 |
| 5000+ | NT$54.0918 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$88.4835
數量:
合計: NT$88
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 27A (Ta), 184A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.6mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.8V @ 169µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 154 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 7300 pF @ 50 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 3.8W (Ta), 250W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO220-3
- Package / Case
- TO-220-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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