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IPA65R150CFDXKSA2

型號描述:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
型號:
IPA65R150CFDXKSA2
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
500
1+NT$168.269
10+NT$86.791
100+NT$78.644
500+NT$64.474
1000+NT$63.411
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$168.269 數量:

合計: NT$168

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
34.7W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
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