IPA65R110CFDXKSA2
- 型號描述:
- MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- 型號:
- IPA65R110CFDXKSA2
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 500
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$238.41 |
| 10+ | NT$126.822 |
| 100+ | NT$115.84 |
| 500+ | NT$102.024 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$238.41
數量:
合計: NT$238
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 31.2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 110mOhm @ 12.7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 1.3mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 118 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3240 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 34.7W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO220-FP
- Package / Case
- TO-220-3 Full Pack
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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