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IMW65R072M1HXKSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 26A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
型號:
IMW65R072M1HXKSA1
品牌:
Infineon
交期:
10-18工作天
原廠包裝量:
1
1+NT$471.4821
2+NT$251.1617
4+NT$249.8867
8+NT$248.6118
16+NT$224.4353
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$471.4821 數量:

合計: NT$471

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 13.3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
744 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Package / Case
TO-247-3
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