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IMW65R072M1HXKSA1

型號描述:
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
型號:
IMW65R072M1HXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
240
1+NT$240.7419
10+NT$126.2142
100+NT$114.5277
480+NT$114.1938
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$240.7419 數量:

合計: NT$241

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 13.3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
744 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Package / Case
TO-247-3
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