IMW65R057M1HXKSA1
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
- 型號:
- IMW65R057M1HXKSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$272.6199 |
| 30+ | NT$158.559 |
| 120+ | NT$133.5116 |
| 510+ | NT$121.3097 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$272.6199
數量:
合計: NT$273
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 74mOhm @ 16.7A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.7V @ 5mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 28 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +20V, -2V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 930 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 133W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-3-41
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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