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IMCQ120R026M2HXTMA1

型號描述:
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
型號:
IMCQ120R026M2HXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
750
1+NT$438.7446
10+NT$327.5559
100+NT$283.1472
500+NT$268.1217
750+NT$227.3859
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$438.7446 數量:

合計: NT$439

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25.4mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 8.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63.4 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2540 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
405W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HDSOP-22-3
Package / Case
22-PowerBSOP Module
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