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AIMZH120R040M1TXKSA1

型號描述:
N-Channel 1200 V 55A (Tc) 268W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-11
SIC_DISCRETE
型號:
AIMZH120R040M1TXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$460.776
30+NT$279.647
120+NT$239.936
510+NT$232.074
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$460.776 數量:

合計: NT$461

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 6.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1264 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
268W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-4-11
Package / Case
TO-247-4
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