AIMZH120R040M1TXKSA1
- 型號描述:
- 碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE
- 型號:
- AIMZH120R040M1TXKSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 240
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$501.53 |
| 10+ | NT$337.05 |
| 100+ | NT$292.559 |
| 480+ | NT$292.222 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$501.53
數量:
合計: NT$502
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 55A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V, 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 50mOhm @ 20A, 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.1V @ 6.4mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 43 nC @ 20 V
- Vgs (Max)
- +23V, -5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1264 pF @ 800 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 268W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-4-11
- Package / Case
- TO-247-4
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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