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| 1+ | NT$911.718 |
| 10+ | NT$903.958 |
| 30+ | NT$888.44 |
| 50+ | NT$872.921 |
| 100+ | NT$857.402 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$911.718
數量:
合計: NT$912
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 36A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 78mOhm @ 13A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.7V @ 5.6mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 31 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +23V, -7V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1060 pF @ 800 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 150W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-3-41
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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