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AIMCQ120R120M1TXTMA1

型號描述:
碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE
型號:
AIMCQ120R120M1TXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
750
1+NT$272.1285
10+NT$198.0027
100+NT$164.9466
500+NT$146.916
750+NT$130.8888
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$272.1285 數量:

合計: NT$272

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 7A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 2.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
458 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
161W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HDSOP-22
Package / Case
22-PowerBSOP Module
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