- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$58.4226 |
| 10+ | NT$39.7672 |
| 100+ | NT$31.0535 |
| 500+ | NT$25.5563 |
| 1000+ | NT$24.4451 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$58.4226
數量:
合計: NT$58
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuration
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature
- -
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 40V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 60A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3V @ 13µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 17nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1027pF @ 25V
- Power - Max
- 52W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 8-PowerVDFN
- Supplier Device Package
- PG-TDSON-8-57
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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