- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$72.7835 |
| 10+ | NT$48.3282 |
| 100+ | NT$36.7993 |
| 500+ | NT$29.4045 |
| 1000+ | NT$26.2603 |
| 5000+ | NT$21.7768 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$72.7835
數量:
合計: NT$73
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuration
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature
- -
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 40V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 45A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 7mOhm @ 22A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3V @ 9µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 12nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 701pF @ 25V
- Power - Max
- 41W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 8-PowerVDFN
- Supplier Device Package
- PG-TDSON-8-57
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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