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EPC8009

型號描述:
N-Channel 65 V 4A (Ta) Surface Mount Die
氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
型號:
EPC8009
品牌:
EPC
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
1+NT$174.645
10+NT$89.98
100+NT$81.832
500+NT$71.204
2500+NT$57.743
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$174.645 數量:

合計: NT$175

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
65 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
52 pF @ 32.5 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
Die
Package / Case
Die
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