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| 1+ | NT$282.337 |
| 10+ | NT$198.734 |
| 100+ | NT$160.83 |
| 500+ | NT$142.763 |
| 1000+ | NT$114.777 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$282.337
數量:
合計: NT$282
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 60A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3.2mOhm @ 25A, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 7mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 13.6 nC @ 5 V
- Vgs (Max)
- +6V, -4V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1570 pF @ 50 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- -
- Operating Temperature
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- Die
- Package / Case
- Die
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
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