SIHP12N50E-GE3
- 型號描述:
-
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220AB
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
- 型號:
- SIHP12N50E-GE3
- 品牌:
- Vishay Siliconix
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$52.7085 |
| 50+ | NT$32.0109 |
| 100+ | NT$31.4494 |
| 500+ | NT$29.2012 |
| 1000+ | NT$27.1073 |
| 2000+ | NT$25.8375 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$52.7085
數量:
合計: NT$53
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-220-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 10.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 380mOhm @ 6A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 114W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Supplier Device Package
- TO-220AB
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 500 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 50 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 886 pF @ 100 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
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