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SI2304BDS-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 30 V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
型號:
SI2304BDS-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$30.0664
10+NT$18.6676
100+NT$12.1191
500+NT$9.3027
1000+NT$8.3951
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$30.0664 數量:

合計: NT$30

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2.5A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 15 V
Qualification
-
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