SI2337DS-T1-E3
- 型號描述:
-
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MOSFET -80V Vds 20V Vgs SOT-23
- 型號:
- SI2337DS-T1-E3
- 品牌:
- Vishay Semiconductors
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$45.5952 |
| 10+ | NT$25.4078 |
| 100+ | NT$18.4033 |
| 500+ | NT$15.3636 |
| 1000+ | NT$14.2402 |
| 3000+ | NT$13.1499 |
| 6000+ | NT$12.8195 |
| 9000+ | NT$12.7534 |
| 24000+ | NT$12.423 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$45.5952
數量:
合計: NT$46
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -50°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- P-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 2.2A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 270mOhm @ 1.2A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Supplier Device Package
- SOT-23-3 (TO-236)
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 80 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 17 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 500 pF @ 40 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
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