IRFD110PBF
- 型號描述:
-
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
- 型號:
- IRFD110PBF
- 品牌:
- Vishay Siliconix
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 1A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 540mOhm @ 600mA, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 1.3W (Ta)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Supplier Device Package
- 4-HVMDIP
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 8.3 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 180 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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