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IRF640SPBF

型號描述:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
型號:
IRF640SPBF
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$69.384
10+NT$38.3264
100+NT$36.344
1000+NT$36.0136
2000+NT$35.6832
5000+NT$35.0224
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$69.384 數量:

合計: NT$69

Packaging
Tube
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Qualification
-
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