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TK56E12N1,S1X

型號描述:
N-Channel 120 V 56A (Ta) 168W (Tc) Through Hole TO-220
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
型號:
TK56E12N1,S1X
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$91.3379
50+NT$45.1756
100+NT$40.6887
500+NT$32.823
1000+NT$30.2948
2000+NT$28.1697
5000+NT$28.1264
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$91.3379 數量:

合計: NT$91

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 60 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
168W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
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