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TK56E12N1,S1X

型號描述:
MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
型號:
TK56E12N1,S1X
品牌:
Toshiba
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
50
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$0 數量:

合計: NT$0

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 60 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
168W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
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