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首頁 > SILICONIX (VISHAY)代理商 > SI2329DS-T1-GE3
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SI2329DS-T1-GE3

型號描述:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型號:
SI2329DS-T1-GE3
品牌:
SILICONIX (VISHAY)
交期:
8-12工作天
原廠包裝量:
3000
3000+NT$7.9995
6000+NT$7.8266
9000+NT$7.7401
12000+NT$7.6968
15000+NT$7.4806
起訂量：3000 倍增量：1
價格: NT$7.9995 數量:

合計: NT$23999

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.3A, 4.5V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Vgs (Max)
±5V
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1485 pF @ 4 V
Qualification
-
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