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IGT60R190D1SATMA1

型號描述:
N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
型號:
IGT60R190D1SATMA1
品牌:
INFINEON TECHNOLOGIES
交期:
7-10工作天
原廠包裝量:
1+NT$322.4079
3+NT$289.1928
10+NT$269.2638
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$322.4079 數量:

合計: NT$322

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerSFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 960µA
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-3
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
157 pF @ 400 V
Qualification
-
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