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IRF100P218AKMA1

型號描述:
N-Channel 100 V 209A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
型號:
IRF100P218AKMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$249.1216
25+NT$147.9663
100+NT$123.857
500+NT$109.032
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$249.1216 數量:

合計: NT$249

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 100A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
24000 pF @ 50 V
Qualification
-
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