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IPW65R190CFDFKSA2

型號描述:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
型號:
IPW65R190CFDFKSA2
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
240
1+NT$140.42
25+NT$77.644
100+NT$63.7672
240+NT$63.4368
480+NT$58.1504
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$140.42 數量:

合計: NT$140

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 700µA
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Qualification
-
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