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IPW60R016CM8XKSA1

型號描述:
MOSFET HIGH POWER_NEW
型號:
IPW60R016CM8XKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
240
1+NT$374.0128
10+NT$328.4176
100+NT$283.8136
240+NT$274.8928
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$374.0128 數量:

合計: NT$374

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 62.5A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package
PG-TO247-3-U06
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7545 pF @ 400 V
Qualification
-
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