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IPW65R150CFDFKSA2

型號描述:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
型號:
IPW65R150CFDFKSA2
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$156.2792
30+NT$87.0495
120+NT$71.7768
510+NT$60.5706
1020+NT$56.4815
2010+NT$56.1597
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$156.2792 數量:

合計: NT$156

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
Qualification
-
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