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IPB044N15N5ATMA1

型號描述:
MOSFET TRENCH >=100V
型號:
IPB044N15N5ATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$204.1293
10+NT$138.0568
100+NT$100.152
500+NT$83.8078
1000+NT$81.0258
2000+NT$80.678
5000+NT$80.3303
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$204.1293 數量:

合計: NT$204

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 87A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Supplier Device Package
PG-TO263-7
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8000 pF @ 75 V
Qualification
-
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