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IPB029N06NF2SATMA1

型號描述:
MOSFET TRENCH 40<-<100V
型號:
IPB029N06NF2SATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
800
1+NT$63.2905
10+NT$46.2508
100+NT$29.4544
250+NT$28.4112
800+NT$26.9854
2400+NT$26.1856
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$63.2905 數量:

合計: NT$63

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 70A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 80µA
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 30 V
Qualification
-
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