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| 1+ | NT$374.9203 |
| 5+ | NT$370.5381 |
| 25+ | NT$366.1559 |
| 100+ | NT$362.2607 |
| 250+ | NT$356.9047 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$374.9203
數量:
合計: NT$375
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 69A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 25mOhm @ 27A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.1V @ 8.6mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 60 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +23V, -7V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1990 pF @ 800 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 289W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-4-17
- Package / Case
- TO-247-4
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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