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IMZA65R020M2HXKSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
SILICON CARBIDE MOSFET
型號:
IMZA65R020M2HXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$494.6088
30+NT$293.2521
120+NT$260.983
510+NT$257.1956
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$494.6088 數量:

合計: NT$495

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 46.9A, 20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package
PG-TO247-4-8
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2038 pF @ 400 V
Qualification
-
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