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IMW120R220M1HXKSA1

型號描述:
N-Channel 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
型號:
IMW120R220M1HXKSA1
品牌:
Infineon
交期:
8-12工作天
原廠包裝量:
30
30+NT$119.8632
90+NT$118.0471
300+NT$116.231
600+NT$115.3229
1200+NT$113.5068
起訂量：30 倍增量：1
價格: NT$119.8632 數量:

合計: NT$3596

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
286mOhm @ 4A, 18V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
289 pF @ 800 V
Qualification
-
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