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IMT65R020M2HXUMA1

型號描述:
N-Channel 650 V 105A (Tc) 440W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
SILICON CARBIDE MOSFET
型號:
IMT65R020M2HXUMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$423.6879
10+NT$295.4481
100+NT$256.7928
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$423.6879 數量:

合計: NT$424

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 46.9A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 9.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2038 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
440W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-2
Package / Case
8-PowerSFN
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