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BSZ180P03NS3EGATMA1

型號描述:
MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
型號:
BSZ180P03NS3EGATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
5000
1+NT$20.8152
10+NT$14.835
100+NT$10.4076
500+NT$8.3261
1000+NT$7.0045
5000+NT$7.0045
10000+NT$6.8393
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$20.8152 數量:

合計: NT$21

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerTDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 48µA
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±25V
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2220 pF @ 15 V
Qualification
-
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