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BSZ12DN20NS3GATMA1

型號描述:
MOSFET TRENCH >=100V
型號:
BSZ12DN20NS3GATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$0 數量:

合計: NT$0

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerTDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 5.7A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 25µA
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
Qualification
-
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