AIMZH120R010M1TXKSA1
- 型號描述:
-
N-Channel 1200 V 202A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-11
SIC_DISCRETE
- 型號:
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-247-4
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 202A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 11.3mOhm @ 93A, 20V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 750W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.1V @ 30mA
- Supplier Device Package
- PG-TO247-4-11
- Grade
- Automotive
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V, 20V
- Vgs (Max)
- +23V, -5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 178 nC @ 20 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 5703 pF @ 800 V
- Qualification
- AEC-Q101
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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