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AIMBG75R020M1HXTMA1

型號描述:
碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
型號:
AIMBG75R020M1HXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$555.4024
10+NT$444.7184
100+NT$384.5856
1000+NT$384.5856
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$555.4024 數量:

合計: NT$555

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
750 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
81A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 34.1A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 12.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2326 pF @ 500 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
326W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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