AIMW120R045M1XKSA1
- 型號描述:
-
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
- 型號:
- AIMW120R045M1XKSA1
- 品牌:
- Infineon
- 交期:
- 10-18工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-247-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 52A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 59mOhm @ 20A, 15V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 228W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.7V @ 10mA
- Supplier Device Package
- PG-TO247-3
- Grade
- Automotive
- Vgs (Max)
- +20V, -7V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 57 nC @ 15 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2130 pF @ 800 V
- Qualification
- AEC-Q101
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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