AIMDQ75R025M2HXTMA1
- 型號描述:
- 型號:
- AIMDQ75R025M2HXTMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 7-12工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$473.8442 |
| 10+ | NT$359.4879 |
| 25+ | NT$356.6479 |
| 100+ | NT$316.7985 |
| 250+ | NT$314.1359 |
| 500+ | NT$298.6488 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$473.8442
數量:
合計: NT$474
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 840 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 70A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 22mOhm @ 36.7A, 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.6V @ 8.1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 49 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +23V, -7V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1729 pF @ 500 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 272W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-HDSOP-22
- Package / Case
- 22-PowerBSOP Module
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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