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IXTH3N120

型號描述:
MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
型號:
IXTH3N120
品牌:
IXYS
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
30
1+NT$321.1488
10+NT$243.5048
120+NT$175.112
510+NT$147.3584
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$321.1488 數量:

合計: NT$321

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package / Case
TO-247-3
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